32M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56
32M × 16 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PDSO56
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SPANSION |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | 13 X 11 MM, 1MM PITCH, FBGA-64 |
针数 | 64 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
最长访问时间 | 100 ns |
备用内存宽度 | 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | FLASH |
内存宽度 | 16 |
湿度敏感等级 | 3 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 64 |
字数 | 16777216 words |
字数代码 | 16000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
编程电压 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
类型 | NOR TYPE |
宽度 | 11 mm |
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