256M X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64
256M × 1 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PBGA64
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 针数 | 64 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.A |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最长访问时间 | 110 ns |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B64 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 1 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 256 |
| 端子数量 | 64 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256MX1 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LBGA |
| 封装等效代码 | BGA64,8X8,40 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 页面大小 | 8/16 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 部门规模 | 128K |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 11 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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