1G X 1 FLASH 3V PROM, 110 ns, PDSO56
1G × 1 FLASH 3V 可编程只读存储器, 110 ns, PDSO56
参数名称 | 属性值 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 56 |
最大工作温度 | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.6 V |
最小供电/工作电压 | 2.7 V |
额定供电电压 | 3 V |
最大存取时间 | 110 ns |
加工封装描述 | 20 X 14 MM, MO-142EC, TSOP-56 |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子间距 | 0.5000 mm |
端子涂层 | TIN LEAD |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
温度等级 | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 1 |
组织 | 1G X 1 |
存储密度 | 1.07E9 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS |
位数 | 1.07E9 words |
位数 | 1G |
内存IC类型 | FLASH 3V PROM |
串行并行 | PARALLEL |
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