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SA6.0C

产品描述500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小93KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SA6.0C概述

500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-15

SA6.0C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压8.45 V
最小击穿电压6.67 V
击穿电压标称值7.56 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压11.4 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压6 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SA5.0~SA220CA
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
VOLTAGE
FEATURES
5.0 to 220 Volts
POWER
500 Watts
DO-15
Unit: inch(mm)
1.0(25.4)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated chip junction in DO-15 package
• 500W surge capability at 1ms
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
• Typical IR less than 1µA above 10V
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds/.375"
,(9.5mm) lead length/5lbs., (2.3kg) tension
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.230(5.8)
.140(3.6)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-15 molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICAIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
P
M (AV)
VALUE
500
SEE TABLE 1
1.0
UNITS
Watts
Amps
Watts
RATING
Peak Pulse Power Dissipation at T
A
=25°C, T
P
=1ms(Note 1, Fig.1)
Peak Pulse Current of on 10/1000µs waveform (Note 1,Fig.3)
Steady State Power Dissipation at T
L
=75°CLead Lengths .375",(9.5mm)
(Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed
on Rated Load(JECED Method) (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
NOTES:
1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°Cper Fig. 2.
2.Mounted on Copper Leaf area of 1.57in
2
(40mm
2
).
3.8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
1.0(25.4)MIN.
.104(2.6)
I
FSM
T
J
, T
STG
70
-65 to +175
Amps
°C
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2007
The information presented in this document is believed to be accurate and reliable. The specifications and information herein
are subject to change without notice. Pan Jit makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its
products for any particular purpose. Pan Jit products are not authorized for use in life support devices or systems. Pan Jit
does not convey any license under its patent rights or rights of others.
STAD-MAY.25.2007
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