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SB10100FCT

产品描述10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小422KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB10100FCT概述

10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB10100FCT规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流150 A
最高工作温度125 °C
最大输出电流10 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

SB10100FCT文档预览

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DATA SHEET
SB1020FCT~SB10150FCT
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
.112(2.85)
.100(2.55)
.272(6.9)
.248(6.3)
20 to 150 Volts
CURRENT
10 Amperes
ITO-220AB
Unit : inch (mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
.406(10.3)
.381(9.7)
.134(3.4)
.118(3.0)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANCALDATA
Case: ITO-220AB Molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Polarity: As marked.
Standard packaging: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.055(1.4)
.039(1.0)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T c = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 5 . 0 A , p e r l e g
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t TA = 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i n g V o l t a g e TA = 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
RθJ C
T
J
, T
STG
SB1020
FCT
SB1030
FCT
SB1040
FCT
SB1045
FCT
SB1050
FCT
SB1060
FCT
SB1080
FCT
SB10100
FCT
SB10150
FCT
U N IT S
V
V
V
A
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
10
150
60
42
60
80
56
80
100
70
100
150
105
150
0 .5 5
0 .5
50
3 .0
0 .7 5
0 .8 5
0 .9 2
V
mA
O
C/W
O
- 5 0 TO + 1 2 5
C
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
REV.1-APR.4.2005
PAGE . 1
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