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SB1680FCT

产品描述16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小423KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB1680FCT概述

16 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB1680FCT规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流150 A
最高工作温度125 °C
最大输出电流16 A
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

SB1680FCT文档预览

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DATA SHEET
SB1620FCT~SB16150FCT
ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
.112(2.85)
.100(2.55)
20 to 150 Volts
CURRENT
16 Amperes
ITO-220AB
Unit : inch (mm)
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
• High surge capacity.
.134(3.4)
.118(3.0)
.272(6.9)
.248(6.3)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
.406(10.3)
.381(9.7)
.189(4.8)
.165(4.2)
.130(3.3)
.114(2.9)
.606(15.4)
.583(14.8)
MECHANICALDATA
Case: ITO-220AB molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24 grams.
.055(1.4)
.039(1.0)
.035(0.9)
.011(0.3)
.1
(2.55)
.1
(2.55)
.161(4.1)MAX
.543(13.8)
.512(13.0)
.055(1.4)
.039(1.0)
.114(2.9)
.098(2.5)
.032(.8)
MAX
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T c = 9 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 8 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
A
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g T
A
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
SB1620
FCT
20
14
20
SB1630
FCT
30
21
30
SB1640
FCT
40
28
40
SB1650
FCT
50
35
50
16
SB1660
FCT
60
42
60
SB1680
FCT
80
56
80
SB16100
FCT
100
70
100
SB1650
FCT
150
105
150
U N IT S
V
V
V
A
A
150
0 .5 5
0 .7 5
0 .5
100
2 .0
-5 0 to +1 2 5
O
0 .8 5
0 .9 2
V
I
R
mA
RθJ C
T
J
, T
STG
C/W
O
C
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
REV.0-MAR.19.2005
PAGE . 1
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