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SB8150CT

产品描述8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小420KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB8150CT概述

8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB8150CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
最大非重复峰值正向电流150 A
最高工作温度125 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

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DATA SHEET
SB820CT~SB8150CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-
S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• Both normal and Pb free product are available :
Pb free: 99% Sn above
.50(12.7)MIN
.419(10.66)
.387(9.85)
.139(3.55)
MIN
20 to 150 Volts
CURRENT
8 Amperes
TO-220AB
Unit : inch (mm)
.196(5.00)
.163(4.16)
.054(1.39)
.045(1.15)
.269(6.85)
.226(5.75)
.624(15.87)
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
.038(0.96)
.019(0.50)
.177(4.5)MAX
.548(13.93)
.025(0.65)MAX
MECHANICALDATA
Case: TO-220AB full molded plastic package
Terminals: Lead solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Polarity: As marked.
Mounting Position: Any
Weight: 0.08 ounces, 2.24grams.
.1(2.54)
.1(2.54)
AC
Positive CT
AC
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T c = 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 4 . 0 A
M a x i m u m D C R e v e r s e C u r r e n t TA = 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i n g V o l t a g e TA = 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g
S YM B OL S B 8 2 0 C T S B 8 3 0 C T S B 8 4 0 C T S B 8 5 0 C T S B 8 6 0 C T S B 8 8 0 C T S B 8 1 0 0 C T S B 8 1 5 0 C T U N IT S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
8
150
0 .7 5
0 .5
50
6
-5 0 to +1 2 5
-5 0 to +1 5 0
O
60
42
60
80
56
80
100
70
100
150
105
150
V
V
V
A
A
0 .8 5
0.92
V
I
R
mA
RθJ C
T
J
T
J
, T
S TG
C / W
O
C
C
O
Note.
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-FEB.21.2005
PAGE . 1
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