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SD10100YT

产品描述10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小418KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD10100YT概述

10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB

SD10100YT规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
JEDEC-95代码TO-251AB
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度125 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向电流200 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SD1020YT~SD10150YT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
.225(5.7)
.209(5.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
20 to 150 Volts
CURRENT
10.0 Amperes
TO-251AB
Unit : inch (mm)
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
• Pb free free product are avaiable : 99% Sn above can meet Rohs environment
substance directive request
.307(7.8)
.283(7.2)
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
MECHANICALDATA
Case: TO-251AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-202G,Method 208
Polarity: As marking
Weight: 0.015 ounces, 0.4grams.
.032(0.8)
.012(0.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.02(0.5)
MAXIMUM RATINGS AND DELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current .375"(9.5mm)
lead length at Tc =100
O
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 10.0A
Maximum DC Reverse Current T
A
=25
O
C
at Rated DC Blocking Voltage T
A
=100
O
C
Maximum Thermal Resistance
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL SD1020YT SD1030YT SD1040YT SD1050YT SD1060YT SD1080YT SD10100YT SD10150YT UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
RθJC
RθJA
T
J
T
STG
0.55
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
10.0
100
0.75
0.2
20
3.0
80
-50 to +125
-50 to +150
O
60
42
60
80
56
80
100
70
100
150
105
150
V
V
V
A
A
0.85
0.92
V
mA
C/W
O
C
C
O
REV.0-MAR.19.2005
PAGE . 1
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