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SD6100CS

产品描述6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD6100CS概述

6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252

SD6100CS规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流75 A
最高工作温度125 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
Base Number Matches1

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DATA SHEET
SD620CS~SD6100CS
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
20 to 100 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
0.040(1.0)
.02(0.5)
.032(0.8)
.012(0.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
TO-252 / DPAK
Unit : inch (mm)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
• High temperature soldering guaranteed:260
oC/10
seconds at terminals
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.09 .09
(2.3) (2.3)
.225(5.7)
.209(5.3)
.106(2.7)
.090(2.3)
.063(1.6)
.047(1.2)
• Low profile package
.216(5.5)
.200(5.1)
.071(1.8)
.051(1.3)
MECHANICALDATA
Case: D PAK/TO-252 molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: As marking
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.015 ounces, 0.4grams.
C
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t Tc = 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt TJ = 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e TJ = 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n Te m p e r a t u r e R a n g
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g
S YM B OL S D 6 2 0 C S S D 6 3 0 C S S D 6 4 0 C S S D 6 5 0 C S S D 6 6 0 C S S D 6 8 0 C S S D 6 1 0 0 C S U N IT S
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
0 .5 5
0 .2
20
5
-5 0 to +1 2 5
-5 0 to +1 5 0
O
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
6 .0
75
0 .7 0
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
0 .8 5
V
I
R
mA
RθJ C
T
J
T
J
, T
S TG
C /W
O
C
C
O
Note: Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-FEB.27.2004
PAGE . 1
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