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SD6100CT

产品描述6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SD6100CT概述

6 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-251AB

SD6100CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.85 V
最大非重复峰值正向电流75 A
最高工作温度125 °C
最大输出电流6 A
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY

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DATA SHEET
SD620CT~SD6100CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
• High temperature soldering guaranteed:260
O
C/10 seconds at terminals
• Pb free product are available :
99% Sn above can meet Rohs environment substance
.307(7.8)
.283(7.2)
.063(1.6)
.047(1.2)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
20 to 100 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
TO-251AB
Unit : inch (mm)
• Built-in strain relief
.216(5.5)
.200(5.1)
directive request
.225(5.7)
.209(5.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.02(0.5)
MECHANICALDATA
Case: D PAK/TO-251AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-202G,Method 208
Polarity: As marking
Weight: 0.015 ounces, 0.4grams.
.09 .09
(2.3) (2.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA R A M E TE R
M a xim um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
t
M a xim um R M S V o l a g e
t
M a xim um D C B l cking V o l a g e
o
t
M a xim um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt .3 7 5 "(9 .5 m m )
l a d l ng th a t T c = 7 5
O
C
e
e
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt :8 .3 m s sing l ha l sine -w a ve
e
f
sup e rim p o se d o n ra te d l a d (JE D E C m e tho d )
o
M a xim um F o rw a rd V o l a g e a t 3 .0 A p e r l g
t
e
M a xim um D C R e ve rse C urre nt T J= 2 5
O
C
a t R a te d D C B l cking V o l a g e T J= 1 0 0
O
C
o
t
Typ ica l T he rm a l R e sista nce
O p e ra ting Junctio n Te m p e ra ture R a ng
S to ra g e Te m p e ra ture R a ng
S Y M B O L S D 6 2 0 C T S D 6 3 0 C T S D 6 4 0 C T S D 6 5 0 C T S D 6 6 0 C T S D 6 8 0 C T S D 6 1 0 0 C T U N IT S
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
F
I
SM
20
14
20
30
21
30
40
28
40
50
35
50
6 .0
75
60
42
60
80
56
80
100
70
100
V
V
V
A
A
V
F
0 .5 5
0 .2
20
5
0 .7 0
0 .8 5
V
R
I
mA
R
θ
JC
T
J
T
J
,T
S TG
O
C /W
O
-5 0 to + 1 2 5
-5 0 to + 1 5 0
C
C
O
Note: Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-DEC.16.2004
PAGE . 1
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