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TK39N60X,S1F

产品描述MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小246KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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TK39N60X,S1F概述

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

TK39N60X,S1F规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)38.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)65 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)85nC @ 10V
Vgs(最大值)±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)4100pF @ 300V
FET 功能超级结
功率耗散(最大值)270W(Tc)
工作温度150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247
封装/外壳TO-247-3
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