Datasheet> 器件分类 > 晶体管> KSA916O

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KSA916O: 产品描述Transistor; 产品类别晶体管; 文件大小254KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KSA916O概述

Transistor

KSA916O规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors

KSA916

TRANSISTOR (PNP)

TO-92L

FEATURES

Driver Stage Amplifier

Complement to KSC2316

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Parameter

Value

-120

-5

-800

900

150

-55-150

Unit

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

FE(1)

DC current gain

FE(2)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

CE(sat)

=-5V, I

=-100mA

=-500mA, I

=-50mA

=-5V, I

=-100mA

=-10V, I

=0, f=1MHz

120

240

-1

MHz

Test

conditions

Min

-120

-5

-0.1

Typ

Max

Unit

µA

=-1mA, I

=-10mA, I

=-1mA, I

=-120V, I

=-5V, I

=-10mA

CLASSIFICATION OF

Rank

Range

FE(2)

80-160

120-240

A,Jun,2011

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采用MCU的简化脉搏血氧仪集成设计

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正电子发射计算机断层成像(PE)

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磁共振成像(MRI)

　　医疗成像正在取得显著进步。磁共振成像有助于检查患者体内的组织活动，可提供优质的软组织对比图像。ST提供从分立器件到32位数字处理器和存储器的广泛产品组合，帮助进一步加强磁共振成像应用。以下结构方块图可帮助您在众多推荐的适用产品中进行选择。...[详细]
微型低功耗大容量心电记录仪的研制

常规心电图记录仪是医生诊断心脏疾病的主要手段之一，但它仅能记录短暂心搏情况。由于在相当多的情况下难以记录到即刻发作时的心电图改变，导致无法作出正确的诊断和治疗。因此对病人进行长时间的心电图记录有着极其重要的临床价值。而微型动态心电记录仪能及时记录到普通心电图检测时病人不易出现的短暂异常心电活动，为临床分析病情提供重要客观依据。目前的便携式心电记录仪存储容量偏小，最多只能记录八小时的心电数据；而微...[详细]
BP01型压力传感器在便携血压计中应用

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助听器的基本结构---放大器

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