Datasheet> 器件分类 > 晶体管> KTC3192Y

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KTC3192Y: 产品描述Transistor; 产品类别晶体管; 文件大小309KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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KTC3192Y概述

Transistor

KTC3192Y规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	长电科技(JCET)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

KTC3192

TRANSISTOR(NPN)

TO-92

FEATURE

High

Power Gain:

Gpe=29dB(Typ)(f=10.7MH

)

MAXIMUM RATINGS (T

=25

℃

unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

625

150

-55-150

Unit

℃

1.EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Collector output capacitance

Collector-base time constant

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

CBO

EBO

CE(sat)

BE(sat)

Test

conditions

MIN

0.1

1.0

240

0.4

1.0

100

1.4

400

3.2

MHz

TYP

MAX

UNIT

μA

= 100μA, I

= 1mA , I

= 100μA, I

= 35V ,

= 4V ,

=12 V,

= 2mA

= 10mA, I

= 1mA

= 10mA, I

= 1mA

= 10 V, I

= 1mA

=10 V,I

=0,f=1MH

=10V,I

=1mA,

f=30MH

=6V,I

=1mA,

f=10.7MH

c.rbb’

Gpe

Power gain

CLASSIFICATION OF h

Rank

Range

40-80

70-140

120-240

A,June,2011

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在PSpice中仿真数字滤波器的传输线设计

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未来几年忆阻器发展将迎来黄金时期

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ARM LPC2210在脑血氧监测仪中的应用

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减小ADC量化噪声的技术

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改变血压监测仪的外观

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超声便携式设备的系统划分以及未来趋势

　　上世纪90年代初，便携式电话风靡一时，随着电子技术的长足发展，现今的手机除了可以发送电子邮件和短信，还能拍照、查询股票价格、安排会议；当然，也可以同世界上任何地方的任何人通话。同样在医疗领域中，以前所谓的便携式超声系统曾装载在手推车上以便于拖拽；而今天的医用超声系统也在持续向小型化发展，并且被医生们称为“新型听诊器”。　　　　超声系统的便携式趋势　　由于超声的优异功用，市...[详细]
家庭医疗设备组件市场将稳健成长

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ARM MPU在医疗电子系统中的应用

　　当前，全球医疗电子行业正逐渐展现出诱人的发展前景，产品更新换代的速度不断提高，同时，由于医疗电子产品自身的特殊性，对元器件的性能、功耗、可靠性和集成度等方面都提出了极高的要求。　　全球各大著名的半导体厂商纷纷推出一系列适合该应用领域的产品。　　基于ARM内核的32位嵌入式微处理器(MPU)，以其高性能、低功耗和丰富的片内资源，成为目前众多医疗电子产品开发平台的首选。其中，Cirrus...[详细]
计算机断层扫描(CT)

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推进便携式医疗设计的嵌入式处理器

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飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出专为安全数字(SD)应用的设计人员而设能够简化其设计的低电压、双电源SD接口电平转换FXL2SD106，具备内置的自动方向控制功能，可让器件感测和控制数据流动的方向，而无需方向控制接脚。这种自动方向控制功能降低了设计的复杂性，无需对控制方向的通用I/O接口(GPIO)进行编程...[详细]
新型CAN智能电动执行器的设计(图)

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