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U635H16DC35

产品描述PowerStore 2K x 8 nvSRAM
产品类别存储    存储   
文件大小136KB,共14页
制造商Simtek
官网地址http://www.simtek.com
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U635H16DC35概述

PowerStore 2K x 8 nvSRAM

U635H16DC35规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Simtek
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T24
JESD-609代码e0
长度31.75 mm
内存密度16384 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.83 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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