Datasheet> 器件分类 > 存储> M12L128168A-6T

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M12L128168A-6T: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54,; 产品类别存储; 文件大小804KB，共44页; 制造商台湾晶豪(ESMT); 官网地址http://www.esmt.com.tw/; 晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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M12L128168A-6T概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54,

M12L128168A-6T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	台湾晶豪(ESMT)
包装说明	TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最长访问时间	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e0
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.21 mA
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

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ESMT

M12L128168A

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Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication DateMar. 2003

Revision 1.1

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