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BZD27C9V1P-AU_R1_000A1

产品描述Zener Diode,
产品类别二极管   
文件大小129KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZD27C9V1P-AU_R1_000A1概述

Zener Diode,

BZD27C9V1P-AU_R1_000A1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗4 Ω
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
膝阻抗最大值700 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准AEC-Q101
标称参考电压9.1 V
最大反向电流10 µA
反向测试电压5 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
最大电压容差5%
工作测试电流50 mA
Base Number Matches1

BZD27C9V1P-AU_R1_000A1文档预览

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BZD27C3V6P-AU~BZD27C56P-AU
VOLTAGE REGULATOR DIODES
POWER
VOLTAGE
3.6 to 56 Volt
FEATURES
0.075(1.90)
0.067(1.70)
1W
0.044(1.10)
0.031(0.80)
0.043(1.08)
0.038(0.98)
Sillicon Planar Zener Diode
Low profile surface-mount package
Zener and surge current specification
Low leakage current
0.115(2.90)
0.106(2.70)
High temperature soldering : 260
O
C/10 sec. at terminals
Acquire quality system certificate : TS16949
AEC-Q101 qualified
Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU
0.145(3.70)
0.137(3.50)
directive)
Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
0.030(0.75)
0.017(0.45)
MECHANICAL DATA
Case: SOD-123FL
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx Weight: 0.0006 ounce, 0.017 gram
1
2
Cathode
Anode
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=25
O
C , unless otherwise specified)
Parameter
Power dissipation
Test conditon
T
L
=80
O
C
T
A
=25
O
C
100
μs
square pulse(note 2)
10/1000
μs
waveform (BZD27-C7V5P to BZD27-75P)
Symbol
P
TOT
P
TOT
P
ZSM
P
RSM
Value
2.3
1 (note 1)
300
150
Units
W
Non-repetitive peak pulse
power dissipation
0.008(0.20)
0.004(0.10)
Excellent stability
W
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25
O
C , unless otherwise noted)
P a r a me t e r
Ty p ic a l t he r ma l r e s i s t a nc e j unc t i o n t o a mb i e nt
Ty p ic a l t he r ma l r e s i s t a nc e j unc t i o n t o l e a d
M a xi mum j unc t i o n t e mp e r a t ur e
S t o r a g e t e mp e r a t ur e r a ng e
S y mb o l
R
θJ
A
R
θJ
L
T
J
T
S
Va l ue
180
30
150
-55 to + 150
Unit
K/W
K/W
O
C
C
O
ELCTRICAL CHARACTERISTICS
P a r a me t e r
F o r w a r d vo lt a g e
Te s t c o nd i t i o n
I
F
= 0 . 2 A
Symbol
V
F
M in
-
Ty p
-
M ax
1.2
Unit s
V
NOTES :
1. Mounted on a FR4 PCB, single-sided copper, with 100cm
2
copper pad area.
2. T
J
=25
O
C prior to surge.
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PAGE . 1
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