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B6ST/R13

产品描述Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MDI, 4 PIN
产品类别二极管   
文件大小142KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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B6ST/R13概述

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.8A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MDI, 4 PIN

B6ST/R13规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压600 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散1.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

B6ST/R13文档预览

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B1S~B10S
MINI SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
100 to 1000Volts
CURRENT
0.8 Amperes
Recongnized File # E111753
FEATURES
• Plastic material used carries Underwriters Laboratory recognition 94V-O
0.031(0.8)
0.019(0.5)
0.275(7.0)MAX
0.165(4.2)
0.150(3.8)
0.106(2.7)
0.090(2.3)
0.106(2.7)
0.090(2.3)
0.193(4.9)
0.177(4.5)
0.067(1.7)
0.057(1.3)
C 0.02(0.5)
0.051(1.3)
0.035(0.9)
0.043(1.1)
0.027(0.7)
• Low leakage
• Surge overload rating-- 30 amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
• Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
results in
• inexpensive product
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Polarity symbols molded or marking on body
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0044 ounce, 0.1268 gram
0.014(0.35)
0.006(0.15)
0.008(0.20)
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA R A ME TE R
Ma xi m um Re c ur r e nt P e a k R e ve r s e Vo lt a g e
Ma xi m um RM S B r i d g e Inp ut Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi m um A ve r a g e F o r wa r d
C ur r e nt T
A
= 5 5
O
C
T
A
= 25
O
C
S YM B O L
V
R RM
V
RMS
V
R
I
F (A V )
I
F S M
P
D
I
2
t
V
F
I
R
C
J
( No te 2 )
R
θJ
A
R
θJ
L
T
J
, T
S TG
B1S
100
70
100
B2S
200
140
200
B4S
400
280
400
0 .5
0 .8
30
1 .4
B6S
600
420
600
B8S
800
560
800
B 10S
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
W
A
2
S
V
μ
A
pF
O
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng le ha lf s i ne - wa ve
s up e r i mp o s e d o n r a t e d lo a d ( J E D E C m e tho d )
P o we r D i s s i p a t i o n a t T
A
= 2 5
O
C
I
2
t Ra t i ng f o r f us i ng ( t <8 . 3 5 m s )
Ma xi m um F o r wa r d Vo lt a g e D r o p p e r B r i d g e E le m e nt a t 0 . 5 A
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur r e nt a t Ra t e d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l J unc t i o n c a p a c i t a nc e ( No t e 1 )
Typ i c a l t he r ma l r e s i s t a nc e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 2 5
O
C
3 .7 3 5
1 .0
5 .0
500
25
85
20
-5 5 to +1 5 0
C / W
O
Op e r a ti ng J unc t i o n a nd S t o r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
C
NOTES:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.
2. Thermal resistance from junction to ambient mounted mounted on 5cmX6cm P.C.B. with minimum copper pads.
March 31,2011-REV.02
PAGE . 1
简介
1.1 简单说明 Figure 1 msp430f149的内部结构图 1.2 地址分布 Msp430f149存储单元采用的是冯·诺依曼体系结构,即ROM和RAM使用同一组地址。Msp430f149是16位单片机,寻址空间为64K。 中 ......
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期待各位同仁加入&quot;我们是硬件工程师&quot;群42472485
大家好,为了更欢快的环境,大家共同建设.群42472485...
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