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1.5KE6.8CA

产品描述保护瞬态电压抑制器
产品类别分立半导体   
文件大小77KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1.5KE6.8CA概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称:保护瞬态电压抑制器


产品型号:1.5KE6.8CA


产品参数:


Power Dissipation功耗:Ppp:1500W


Reverse Stand-off Voltage反向电压:VRWM:5.8V


Breakdown Voltage击穿电压:VBR@IT:Min:6.45V,Max:7.14V


Test Current:IT:10mA


Reverse Leakage反向漏:IR@VRWM:UNI:2000μA,


Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp:10.5V


Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp:143A



封装:DO-201AE



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1.5KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated chip junction in DO-201AE package
• 1500W surge capability at 1.0ms
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Typical IR less than 1µA above 10V
.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
6.8 to 440 Volts
PEAK PULSE POWER
1500 Watts
DO-201AE
Unit: inch(mm)
.042(1.07)
.037(0.94)
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds/.375" ,(9.5mm)
lead length/5lbs., (2.3kg) tension
• Pb free product : 99% Sn above can meet RoHS environment substance directive
request
.285(7.2)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-201AE molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.045 ounce, 1.2 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types 1.5KE6.8 thru types 1.5KE440.
Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
Rati ng
Peak Power D i ssi pati on at T
A
=25
O
C , T P=1ms(Note 1)
Steady State Power di ssi pati on at T
L
= 75
O
C
Lead Lengths .375", (95mm) (Note 2)
Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave (Note 3)
Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range
Symbol
P
PPM
P
D
I
FS M
T
J
,T
STG
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
Value
1500
5.0
200
-65 to +175
Uni ts
Watts
Watts
Amps
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 0.79 in
2
(20mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
STAD-DEC.15.2005
PAGE . 1
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