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1F6G

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1F6G概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1F6G规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO

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DATA SHEET
1F1G~1F5G
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• High current capability.
.787(20.0)MIN.
50 to 600 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
R-1
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low leakage.
• Fast switching for high efficiency.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
.138(3.5)
.114(2.9)
.025(.64)
.021(.53)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, R-1
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0064 ounce, 0.181 gram
.787(20.0)MIN.
.102(2.6)
.087(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L 1 F 1 G 1 F 2 G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
, T
S TG
50
35
50
100
70
100
1F3G
200
140
200
1 .0
30
1 .3
5 .0
150
12
1F4G
400
280
400
1F5G
600
420
600
U N IT S
V
V
V
A
A
V
uA
pF
150
67
- 5 5 TO + 1 5 0
250
O
ns
C / W
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
with 0.22 x 0.22” ( 5.5 x 5.5mm ) copper pads.
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