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HER158

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别二极管    整流二极管   
文件大小236KB,共3页
制造商优先(苏州)半导体
官网地址http://www.excel-semi.com/
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HER158概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,

HER158规格参数

参数名称属性值
厂商名称优先(苏州)半导体
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.85 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.07 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

HER158文档预览

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HER151~HER158
1.5A High Efficient Rectifier
Features
1. High surge current capability
2. High reliability
3. Low forward voltage drop
4. High current capability
Absolute Maximum Ratings
T
j
=25℃
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
= Working peak reverse voltage
= DC blocking voltage
Test Conditions
Type
HER151
HER152
HER153
HER154
HER155
HER156
HER157
HER158
Peak forward surge current
Average forward current
Storage temperature range
T
A
=55℃
I
FSM
I
FAV
T
stg
Symbol
V
RRM
=V
RWM
=V
R
Value
50
100
200
300
400
600
800
1000
50
1.5
-65~+175
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
Electrical Characteristics
T
j
=25℃
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=1.5A
Type
HER151-HER154
HER155
HER156-HER158
Reverse current
Maximum reverse
recovery time
Diode capacitance
T
A
=25℃
T
A
=100℃
I
F
=0.5A, I
R
=1.0A,
I
rr
=0.25A
V
R
=4V, f=1MHz
HER151~HER155
HER156~HER158
Symbol
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
T
rr
T
rr
C
D
30
Min
Typ
Max
1.0
1.3
1.85
5
100
50
70
Unit
V
V
V
µA
µA
ns
ns
pF
Excel Semiconductor
www.excel-semi.com
FaxBack +86-512-66607370
Rev. 3d, 1-Jan-2006
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