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VS-HFA16TB120SR-M3

产品描述DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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VS-HFA16TB120SR-M3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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VS-HFA16TB120SR-M3概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 16A D2PAK

VS-HFA16TB120SR-M3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
Factory Lead Time22 weeks
其他特性LOW NOISE, PD-CASE
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)3.93 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流190 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流16 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散151 W
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流20 µA
最大反向恢复时间0.135 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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