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BAS40WS

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体   
文件大小218KB,共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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BAS40WS概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:BAS40WS


产品特征:


Low Turn-on Voltage


Fast Switching


PN Junction Guard for Transient and ESD Protection


Designed for Surface Mount Application


Plastic Material –UL Recognition Flammability Classification 94V-O



产品参数:


Pd 耗散功率 :200mW


Io 整流电流 :


VR 反向工作电压:40V


VF 正向降压:1V


IR 反向电流:0.2uA


Trr 正向恢复时间:5ns



封装:SOD-323

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-323 Plastic-Encapsulate Diode
SOD-323
·
·
·
Low Turn-on Voltage
Fast Switching
PN Junction Guard Ring for Transient and
ESD Protection
1.30
1.70
2.65
Maximum Ratings
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
FM
P
d
@ t < 1.0s
I
FSM
R
qJA
T
j
T
STG
BAS40
40
200
350
600
357
-55 to +125
-65 to +150
Unit
V
mA
mW
mA
°C/W
°C
°C
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Forward Continuous Current (Note 1)
Power Dissipation (Note 1)
Forward Surge Current (Note 1)
Operating Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Reverse Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Leakage Current
Junction Capacitance
Reverse Recovery Time
Notes:
Symbol
V
(BR)R
V
F
I
R
C
j
t
rr
Min
40
Typ
20
4.0
Max
380
1000
200
5.0
5.0
Unit
V
mV
nA
pF
ns
Test Condition
I
R
= 10mA
t
p
< 300ms, I
F
= 1.0mA
t
p
< 300ms, I
F
= 40mA
t
p
< 300ms, V
R
= 30V
V
R
= 0V, f =1.0MHz
I
F
= I
R
= 10mA to I
R
= 1.0mA,
R
L
= 100W
1. Valid Provided that terminals are kept at ambient temperature.
0.30
1.00
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