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Datasheet> 器件分类 > 3DD13005-TO-220
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3DD13005-TO-220

产品描述TRANSISTOR（ NPN ）
文件大小263KB，共3页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

 

 

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3DD13005-TO-220概述

TRANSISTOR（ NPN ）

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13005
TRANSISTOR（ NPN
）
TO—220
FEATURES
Power dissipation
P
CM
:
1.5 W（Tamb=25℃）
Collector current
I
CM:
4A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: 700 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
，T
stg
: -55℃ to +150℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
Transition Frequency
Fall time
Storage time
Symbol
V(BR)
CBO
V(BR)
CEO
V(BR)
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
f
t
t
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
123
unless
Test
otherwise
specified）
TYP
MAX
UNIT
V
V
V
1000
100
1000
µA
µA
µA
conditions
MIN
700
400
9
Ic= 1000 µA，I
E
=0
Ic= 10
mA，I
B
=0
I
E
= 1000 µA，I
C
=0
V
CB
= 700 V I
E
=0
，
V
CE
= 400 V I
B
=0
，
V
EB
=
9
V I
C
=0
，
V
CE
= 5 V, I
C
= 1000mA
I
C
=2000m A,I
B
=500 mA
I
C
=2000m A, I
B
= 500mA
V
CE
=10 V, IC=500mA
10
40
0.6
1.6
V
V
MHz
0.9
4
µs
µs
T
f = 1MHz
I
B1
=-I
B2
=0.4A, I
C
=2A
5
f
s
V
CC
=120V
CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
10-15
15-20
20-25
25-30
30-35
35-40

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