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STL200N45LF7

产品描述MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小4MB,共36页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STL200N45LF7概述

MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT

STL200N45LF7规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)45V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)1.8 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)33nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)5170pF @ 25V
功率耗散(最大值)150W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerFlat™(5x6)
封装/外壳8-PowerVDFN
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