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STL50N6F7

产品描述MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小737KB,共14页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STL50N6F7概述

MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT

STL50N6F7规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)14 毫欧 @ 6.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)17nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)980pF @ 25V
功率耗散(最大值)71W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装PowerFlat™(5x6)
封装/外壳8-PowerVDFN

 
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