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NVD6415ANT4G-VF01

产品描述MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小97KB,共7页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NVD6415ANT4G-VF01概述

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

NVD6415ANT4G-VF01规格参数

参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)23A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)55 毫欧 @ 23A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)29nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)700pF @ 25V
功率耗散(最大值)83W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装DPAK
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

NVD6415ANT4G-VF01相似产品对比

NVD6415ANT4G-VF01 NTD6415AN
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