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NTMFS08N004C

产品描述MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小222KB,共8页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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NTMFS08N004C概述

MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN

NTMFS08N004C规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
制造商包装代码483AE
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time26 weeks
Samacsys DescriptionTrans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin PQFN EP T/R
雪崩能效等级(Eas)486 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)126 A
最大漏极电流 (ID)126 A
最大漏源导通电阻0.0125 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)50 pF
JEDEC-95代码MO-240AA
JESD-30 代码R-PDSO-F5
元件数量1
端子数量5
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)637 A
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)50 ns
最大开启时间(吨)42 ns
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