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GSBCX69-25

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别晶体管   
文件大小509KB,共2页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

GSBCX69-25概述

Small Signal Bipolar Transistor,

GSBCX69-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GSBCX69-25文档预览

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GSBCX69
PNP Transistor
Features
For general AF applications
High collector current
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
Complementary type: GSBCX68 (NPN)
SOT-89-3L
1. BASE
Absolute Maximum Ratings
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Value
-25
-20
-5
-1
0.8
150
-55 to +150
Unit
V
V
V
A
W
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Electrical
Characteristics
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
BCX69
BCX69-10
BCX69-16
BCX69-25
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
Test
Conditions
I
C
=-10μA , I
E
0
=
I
C
=-30mA , I
B
0
=
MIN
-25
-20
-5
-
-
85
85
100
160
-
60
-
-
-
TYP
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.6
100
MAX
-
-
-
-0.1
-0.1
375
160
250
375
-
-
-0.5
-1
-
V
V
MHz
UNIT
V
V
V
μA
μA
V
(BR)EBO
= 0
I
E
=-1μA, I
C
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
1)
V
CB
=-25V, I
E
0
=
= 0
V
EB
=-5V, I
C
V
CE
=-1V, I
C
=-500mA
V
CE
=-10V, I
C
-5mA
= 5mA
=
V
CE
=-1V, I
C
-1A
I
C
= -100mA
=-1A, I
B
I
C
=-5mA, V
CE
=-10V
I
C
=-1A, V
CE
=-1V
V
CE
=-5V, I
C
=-100mA
f=20MHz
DC Current Gain
-
h
FE(2) 1)
h
FE(3) 1)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
Transition Frequency
1) Pulse test: t ≤=300µs, D = 2%
V
CE(sat)
V
BE(ON)
f
T
1)
1/2
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