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AM154

产品描述1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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AM154概述

1.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

AM154规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流1.5 A
最大重复峰值反向电压400 V
表面贴装NO

AM154文档预览

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DATA SHEET
AM150~AM1510
1.5 AMPERE SILICON MINIATURE SINGLE- PHASE BRIDGES
VOLTAGE
FEATURES
50 to 600 Volts
CURRENT
1.5 Amperes
AM
Unit: inch (mm)
Recongnized File # E111753
• Ratings to 1000V PRV
• Surge overload rating: 50 Amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Reliable low cost construction utilizing molded plastic
• Mounting position:Any
1.2(30.5)MIN
.217(5.5)
.197(5.0)
.370(9.4)
.339(8.6)
technique
MECHANICAL DATA
Case:Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product.
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity :Polarity symbols marking on body.
Weight: 0.05 ounce, 1.3 grams
.220
(5.6)
.181
(4.6)
.220
(5
.181 .6)
(4.6
)
.031(0.8)
.028(0.7)
Bottom View
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Bridge Input Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current T
A
=50
O
C
Peak Forward Surge Current:8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC method)
I
2
t Rating for fusing ( t<8.35ms)
Maximum Forward Voltage Drop per Bridge Element at 1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage
Typical Junction capacitance (Note 1)
Typical thermal resistance per leg ((Note 2)
Typical thermal resistance per leg ((Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES:
SYMBOL AM150
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
RθJA
RθJL
T
J
TSTG
AM151
100
70
100
AM152
200
140
200
AM154
400
280
400
1.5
50
10
1.0
AM156
600
420
600
1.0(25.4)MIN
AM158
800
560
800
AM1510
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
A
A
2
t
V
uA
pF
O
50
35
50
10 @ T
A
=25
O
C
1000 @ T
A
=100
O
C
24
36
13
-55 to + 125
-55 to + 150
C/W
O
C
C
O
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.47 X 0.47"(12 X 12mm) copper pads.
STAD-SEP.05.2003
PAGE . 1
汇编 1+2+3+……+100
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