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MMBV3700R-12K

产品描述200 V, SILICON, PIN DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小88KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBV3700R-12K概述

200 V, SILICON, PIN DIODE

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MMBV3700
SURFACE MOUNT PIN DIODE
VOLTAGE
FEATURES
• Very low series resistance at 100MHz (0.7Ω typical@ I
F
=10mA)
• Long minority carrier lifetime (Trr=300ns typical)
• Low capacitance (0.5 pF typical @V
R
=20V)
• Surface mount package ideally suited for autmatic insertion
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet
RoHS environment substance directive request
.083(2.10)
.066(1.70)
.006(.15)
.002(.05)
200 Volts
POWER
200 mW
SOT- 23
Unit: inch (mm)
.047(1.20)
.056(1.40)
.007(.20)MIN
• High reverse breakdown voltage (200V min)
.119(3.00)
.110(2.80)
.103(2.60)
.044(1.10)
.006(.15)MAX
.020(.50)
.013(.35)
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight: 0.008 gram
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
Maximum Reverse Voltage
Continuous Forward Current
SYMBOL
VALUE
200
0.2
.035(0.90)
.086(2.20)
UNIT
V
A
V
R
I
F
THERMAL CHARACTERISTICS
PARAMETER
Power Dissipation (1)
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)
Junction Temperature
Storage Temperature
SYMBOL
VALUE
200
625
-55 to 150
-55 to 150
UNIT
mW
O
P
TOT
R
Θ
JA
T
J
T
STG
C/W
O
C
C
O
Note 1. FR-5 Board=1.0x0.75x0.062 in.
SINGLE
REV.0-FEB.8.2006
PAGE . 1
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