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AM41DL1614DB70IS

产品描述16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) Static RAM
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文件大小469KB,共63页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM41DL1614DB70IS概述

16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) Static RAM

AM41DL1614DB70IS规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码BGA
包装说明LFBGA, BGA69,10X10,32
针数69
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间70 ns
其他特性STATIC RAM IS ORGANISED AS 512K X 8 OR 256K X 16; FLASH CAN ALSO BE ORGANISED AS 2M X 8
JESD-30 代码R-PBGA-B69
JESD-609代码e0
长度11 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度16
混合内存类型FLASH+SRAM
功能数量1
端子数量69
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA69,10X10,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度8 mm
Base Number Matches1
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