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TH58NS100DC

产品描述TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 1 - GBIT (128M X 8 BITS) CMOS NAND E2PROM ( 128M BYTE SmartMediaTM )
产品类别存储    存储   
文件大小434KB,共43页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TH58NS100DC概述

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 1 - GBIT (128M X 8 BITS) CMOS NAND E2PROM ( 128M BYTE SmartMediaTM )

TH58NS100DC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码DIE
包装说明FDC-22C
针数22
Reach Compliance Codeunknow
JESD-30 代码X-XXMA-X22
内存密度1024458752 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量22
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度55 °C
最低工作温度
组织128MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行SERIAL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
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