AVALANCHE AND dv/dt RATED
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6.7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 27 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IRFR012 | IRFR010 | IRFU010 | IRFU012 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | AVALANCHE AND dv/dt RATED | AVALANCHE AND dv/dt RATED | AVALANCHE AND dv/dt RATED | AVALANCHE AND dv/dt RATED |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） | International Rectifier （ Infineon ） |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compli | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6.7 A | 8.2 A | 8.2 A | 6.7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6.7 A | 8.2 A | 8.2 A | 6.7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.3 Ω | 0.2 Ω | 0.2 Ω | 0.3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA | TO-252AA | TO-251AA | TO-251AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 25 W | 25 W | 25 W | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 27 A | 33 A | 33 A | 27 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
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