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ED1002CS

产品描述10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ED1002CS概述

10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA

ED1002CS规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明DPAK-3/2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE

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DATA SHEET
ED1002CS~ED1006CS
SURFACE MOUNT SUPER FAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Easy pick and place
• Superfast recovery times for high efficiency
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.225(5.7)
.209(5.3)
0.040(1.0)
.02(0.5)
.032(0.8)
.012(0.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
200 to 600 Volts
CURRENT
10 Amperes
TO-252 / DPAK
Unit : inch (mm)
MECHANICALDATA
Case: D PAK/TO-252 molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.015 ounce, 0.4 gram.
.063(1.6)
.047(1.2)
.106(2.7)
.090(2.3)
.216(5.5)
.200(5.1)
C
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maxi mum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C Blocki ng Voltage
Maxi mum Average Forward C urrent .375"(9.5mm)
lead length at Tc=100
O
C
Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms si ngle half si ne-wave
superi mposed on rated load(JED EC method)
Maxi mum Forward Voltage at 5.0A
Maxi mum D C Reverse C urrent T
A
=25
O
C
at Rated D C Blocki ng VoltageT
A
=100
O
C
Maxi mum Reverse Recovery Ti me (Note 1)
Maxi mum thermal Resi stance (Note 2)
Operati ng and Storage Temperature RangeT
J
,T
STG
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
RθJC
RθJA
T
J
,T
STG
E D 1002C S
200
140
200
E D 1003C S
300
210
300
E D 1004C S
400
280
400
E D 1006C S
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
10.0
100
0.95
1.3
5.0
50
35
11
80
-55 TO +150
O
1.7
V
uA
ns
C/W
O
C
NOTES:
1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
2. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (.013mm thick) copper pad areas.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-APR.08.2004
PAGE . 1
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