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ED806CS

产品描述8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ED806CS概述

8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA

ED806CS规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompli
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
最大非重复峰值正向电流85 A
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES

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DATA SHEET
ED802CS~ED806CS
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
• Low forward voltage, high current capability.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.09 .09
(2.3) (2.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.225(5.7)
.209(5.3)
0.040(1.0)
.063(1.6)
.047(1.2)
200 to 600 Volts
CURRENT
8.0 Amperes
TO-252 / DPAK
Unit : inch (mm)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
.216(5.5)
.200(5.1)
.106(2.7)
.090(2.3)
.02(0.5)
.071(1.8)
.051(1.3)
MECHANICALDATA
Case: Molded plastic, TO-251AB
Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-202,Method 208
Polarity: As marking
Weight:
0.015 ounces, 0.4grams.
C
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
P A R A M E TE R
M a xi um R e curre nt P e a k R e ve rse V o l a g e
m
t
M a xi um R M S V o l a g e
m
t
M a xi um D C B l cki g V o l a g e
m
o
n
t
M a xi um A ve ra g e F o rw a rd C urre nt . 7 5 "(9 . m m )
m
3
5
l a d l ng t a t T
C
= 7 5
O
C
e
e
h
P e a k F o rw a rd S urg e C urre nt 8 . m s si g l ha l si e -w a ve
, 3
n e
f n
sup e ri p o se d o n ra t d l a d (JE D E C m e t o d )
m
e o
h
M a xi um F o rw a rd V o l a g e a t 4 . A (N o t 1 )
m
t
0
e
M a xi um D C R e ve rse C urre nt T
A
= 2 5
O
C
m
a t R a t d D C B l cki g V o l a g e T
A
= 1 0 0
O
C
e
o
n
t
M a xi um R e ve rse R e co ve ry Ti e (N o t 2 )
m
m
e
M a xi um t e rm a l R e si t nce (N o t 3 )
m
h
sa
e
O p e ra t ng Junct o n a nd S t ra g e Te m p e ra t re R a ng e
i
i
o
u
S YM B O L
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
V
A
F
I
SM
E D 802C S
200
140
200
E D 803C S
300
210
300
8.
0
85
E D 804C S
400
280
400
E D 806C S
600
420
600
UNI S
T
V
V
V
A
A
V
F
I
R
T
R R
R
θ
JC
T
T
J
,
S TG
0. 5
9
1.
3
5.
0
50
1.
7
V
uA
35
9.
0
50
O
ns
C /W
O
-5 0 T O + 1 5 0
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW=300 usec, 2% Duty Cycle.
2. Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
3. Mounted on P.C. Board with 14mm2 (.013mm thick) copper pad areas.
STAD-JUN.02.2004
PAGE . 1
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