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FQZX363C5V6-WBFBP-06C

产品描述QUAD SURFACE MOUNT ZENER DIODE ARRAY
文件大小210KB,共4页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

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FQZX363C5V6-WBFBP-06C概述

QUAD SURFACE MOUNT ZENER DIODE ARRAY

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD
WBFBP-06C Plastic-Encapsulate Diodes
FQZX363C5V6~QZX363C20
QUAD SURFACE MOUNT ZENER DIODE ARRAY
DESCRIPTION
Epitaxial planar Silicon diode
FEATURES
Nominal Zener Voltages: 5.6V, 6.8V, 12V,15V, 20V
Ultra-Small Surface Mount Package
APPLICATION
Ideal For Transient Suppression,Sim card circuit
For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM,
DVD-ROM, Note book PC, etc.)
Maximum Ratings
Forward Voltage
*1
Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air
Operating and Storage Temperature Range
@TA=25℃ unless otherwise specified
Symbol
@I
F
=10mA
V
F
P
d
R
θ
JA
T
j
,T
STG
Value
0.9
150
625
-65 to +150
Unit
V
mW
℃/w
1
WBFBP-06C
(2×2×0.5)
unit: mm
Characteristic
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Temperature
Zener Voltage
Type
mumber
Marking
code
V
Z
@I
ZT
Nom(V)
QZX363C5V6
QZX363C6V8
QZX363C12
QZX363C15
QZX363C20
K5F
K6F
KFF
KJF
KMF
5.6
6.8
12
15
20
Min(V)
5.32
6.47
11.4
13.8
19.0
Max(V)
5.88
7.14
12.7
15.6
21.0
Range
*1
Maximum Zener
Impedance
*2
Maximum
Reverse
Current
I
R
uA
1
2
0.1
0.1
0.1
*1
Coefficent
Of
Zener voltage
@I
ZT=5mA
mV/℃
Min
-2.0
1.2
6.0
9.2
14.4
Max
2.5
4.5
10.0
13.0
18.0
Z
ZT
@I
ZT
40
15
25
30
55
mA
5
5
5
5
5
Z
ZK
@I
ZK
400
80
150
200
225
mA
1
1
1
1
1
V
R
V
2.0
4.0
8.0
10.5
14
Notes:1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
2. f = 1KHz.
单片机各管脚都检测不到偶信号输出
使用的是AT89S52单片机(线路板上还有其它芯片,但是都没有插上) #include <REGX51.H>#define uint unsigned int sbit p00=0x80; void main(){uint a;p00=0x00;while(1){for(a=100;a ......
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