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GMZ4.7

产品描述56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小77KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GMZ4.7概述

56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

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DATA SHEET
GMZ2.0~GMZ56
SURFACE MOUNT ZENER DIODES
VOLTAGE
2.0 to 56 Volts
POWER
500 mWatts
MICRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
.049(1.25)
.047(1.2)DIA.
MECHANICAL DATA
• Case: Molded Glass MICRO-MEIF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.01 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.079(2.0)
.071(1.8)
.043(1.1)
.008(0.2)
.008(0.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
S
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r
Forward Voltage at IF = 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
Uni ts
K/mW
V
RthA
VF
--
--
Vali d provi ded that leads at a di stance of 10mm from case are kept at ambi ent temperature.
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