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GQZJ9.1: 产品描述56.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小77KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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GQZJ9.1概述

56.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

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DATA SHEET

GQZJ2.0~GQZJ56

SURFACE MOUNT ZENER DIODES

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

POWER

500 mWatts

QUADRO-MELF

Unit : inch (mm)

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

)

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass QUARDRO-MELF

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202E, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.03 grams

• Mounting Position: Any

• Packing information

T/R - 2.5K per 7" plastic Reel

.020(0.5)

.012(0.3)

.146(3.7)

.130(3.3)

.020(0.5)

.012(0.3)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at Tamb = 25

Junction Temperature

Storage Temperature Range

Symbol

Value

500

175

-65 to +175

Units

TOT

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Thermal Resi stance Juncti on to Ambi ent Ai r

Forward Voltage at IF = 100mA

Symbol

Mi n.

Typ.

Max.

0.3

Uni ts

K/mW

RthA

Vali d provi ded that leads at a di stance of 10mm from case are kept at ambi ent temperature.

STAD-JAN.27.2004

.063(1.6)

.055(1.4)DIA.

PAGE . 1

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