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FZT949TA

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt Low Sat
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小449KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准
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FZT949TA概述

Bipolar Transistors - BJT PNP HighCt Low Sat

FZT949TA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5.5 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
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