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GS864436E-225V

产品描述2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
产品类别存储    存储   
文件大小800KB,共32页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS864436E-225V在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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GS864436E-225V概述

2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165

2M × 36 高速缓存 静态随机存储器, 7 ns, PBGA165

GS864436E-225V规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码BGA
包装说明LBGA,
针数165
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.B
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度17 mm
内存密度75497472 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15 mm

GS864436E-225V相似产品对比

GS864436E-225V GS864418E-V GS864436E-250IV GS864436E-250V GS864436E-200I
描述 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
内存宽度 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 165 165 165 165 165
组织 2MX36 2M × 36 2MX36 2MX36 2MX36
表面贴装 YES Yes YES YES YES
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
是否无铅 含铅 - 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
厂商名称 GSI Technology - GSI Technology GSI Technology GSI Technology
零件包装代码 BGA - BGA BGA BGA
包装说明 LBGA, - LBGA, LBGA, LBGA,
针数 165 - 165 165 165
Reach Compliance Code compli - compli compli compli
ECCN代码 3A991.B.2.B - 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
Factory Lead Time 8 weeks - 8 weeks 8 weeks 16 weeks
最长访问时间 6.5 ns - 6.5 ns 6.5 ns 6.5 ns
其他特性 FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY - FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 - R-PBGA-B165 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 17 mm - 17 mm 17 mm 17 mm
内存密度 75497472 bi - 75497472 bi 75497472 bi 75497472 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM - CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
字数 2097152 words - 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 - 2000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 85 °C 70 °C 85 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA - LBGA LBGA LBGA
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE - GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm - 1.4 mm 1.4 mm 1.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 2 V - 2 V 2 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 2.5 V
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
端子节距 1 mm - 1 mm 1 mm 1 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15 mm - 15 mm 15 mm 15 mm
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