2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
2M × 36 高速缓存 静态随机存储器, 7 ns, PBGA165
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, |
针数 | 165 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks |
最长访问时间 | 6.5 ns |
其他特性 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
长度 | 17 mm |
内存密度 | 75497472 bi |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 36 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 2MX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15 mm |
GS864436E-225V | GS864418E-V | GS864436E-250IV | GS864436E-250V | GS864436E-200I | |
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描述 | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 | 2M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165 |
内存宽度 | 36 | 36 | 36 | 36 | 36 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 | 165 | 165 | 165 |
组织 | 2MX36 | 2M × 36 | 2MX36 | 2MX36 | 2MX36 |
表面贴装 | YES | Yes | YES | YES | YES |
温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | GSI Technology | - | GSI Technology | GSI Technology | GSI Technology |
零件包装代码 | BGA | - | BGA | BGA | BGA |
包装说明 | LBGA, | - | LBGA, | LBGA, | LBGA, |
针数 | 165 | - | 165 | 165 | 165 |
Reach Compliance Code | compli | - | compli | compli | compli |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | - | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
Factory Lead Time | 8 weeks | - | 8 weeks | 8 weeks | 16 weeks |
最长访问时间 | 6.5 ns | - | 6.5 ns | 6.5 ns | 6.5 ns |
其他特性 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY | - | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES AT 2.5V SUPPLY | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE; ALSO OPERATES WITH 3.3V SUPPLY |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | - | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
长度 | 17 mm | - | 17 mm | 17 mm | 17 mm |
内存密度 | 75497472 bi | - | 75497472 bi | 75497472 bi | 75497472 bi |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | - | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
字数 | 2097152 words | - | 2097152 words | 2097152 words | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 | - | 2000000 | 2000000 | 2000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | - | 85 °C | 70 °C | 85 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA | - | LBGA | LBGA | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | - | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm | - | 1.4 mm | 1.4 mm | 1.5 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2 V | - | 2 V | 2 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 2.5 V |
技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
端子节距 | 1 mm | - | 1 mm | 1 mm | 1 mm |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15 mm | - | 15 mm | 15 mm | 15 mm |
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