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IDT7130LA35JGB

产品描述1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 100 ns, PQFP64
产品类别存储   
文件大小156KB,共19页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT7130LA35JGB概述

1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 100 ns, PQFP64

1K × 8 双端口静态随机存储器, 100 ns, PQFP64

IDT7130LA35JGB规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量64
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压5.5 V
最小供电/工作电压4.5 V
额定供电电压5 V
最大存取时间100 ns
加工封装描述14 × 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 绿色, TQFP-64
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
工艺CMOS
包装形状SQUARE
包装尺寸FLATPACK, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.8000 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度8
组织1K × 8
存储密度8192 deg
操作模式ASYNCHRONOUS
位数1024 words
位数1K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

 
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