EPROM 2Mx8 or 1Mx16 100ns
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, FDIP-42 |
| 针数 | 42 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | CONFIGURABLE AS 1M X 16 |
| 备用内存宽度 | 8 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T42 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 54.635 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 42 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | WDIP |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.71 mm |
| 最大待机电流 | 0.00006 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| M27V160-100XF1 | M27V160-10XB1 | M27V160-100K1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EPROM 2Mx8 or 1Mx16 100ns | EPROM EPROM | EPROM 2Mx8 or 1Mx16 100ns |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP | - | LCC |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, FDIP-42 | - | QCCJ, LDCC44,.7SQ |
| 针数 | 42 | - | 44 |
| Reach Compliance Code | unknown | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最长访问时间 | 100 ns | - | 100 ns |
| 备用内存宽度 | 8 | - | 8 |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T42 | - | S-PQCC-J44 |
| JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
| 长度 | 54.635 mm | - | 16.586 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit | - | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | UVPROM | - | OTP ROM |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 42 | - | 44 |
| 字数 | 1048576 words | - | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | - | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | - | 70 °C |
| 组织 | 1MX16 | - | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | WDIP | - | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP42,.6 | - | LDCC44,.7SQ |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE, WINDOW | - | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.71 mm | - | 4.57 mm |
| 最大待机电流 | 0.00006 A | - | 0.00006 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | - | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | - | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | - | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | - | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | - | 16.586 mm |
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