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Datasheet> 器件分类 > 存储> IS42S16100E-7BLI
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IS42S16100E-7BLI

产品描述DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V
产品类别存储   
文件大小1012KB，共81页
制造商ISSI(芯成半导体)
官网地址http://www.issi.com/
标准
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IS42S16100E-7BLI在线购买

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IS42S16100E-7BLI概述

DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V

IS42S16100E-7BLI规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer		ISSI(芯成半导体)
产品种类
Product Category		DRAM
RoHSDetails
类型
Type		SDRAM
Data Bus Width16 bit
Organization1 M x 16
封装 / 箱体
Package / Case		BGA-60
Memory Size16 Mbit
Maximum Clock Frequency143 MHz
Access Time6 ns
电源电压-最大
Supply Voltage - Max		3.6 V
电源电压-最小
Supply Voltage - Min		3 V
Supply Current - Max150 mA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature		- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature		+ 85 C
系列
Packaging		Tray
高度
Height		0.87 mm
长度
Length		10.1 mm
宽度
Width		6.4 mm
安装风格
Mounting Style		SMD/SMT
Moisture SensitiveYes
工作电源电压
Operating Supply Voltage		3.3 V
工厂包装数量
Factory Pack Quantity		286

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描述 DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V DRAM 16M (1Mx16) 143Mhz SDRAM, 3.3v DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDR SDRAM, 3.3V DRAM 16M (1Mx16) 200MHz SDRAM, 3.3v DRAM 16M (1Mx16) 166Mhz SDRAM, 3.3v DRAM 16M (1Mx16) 143MHz SDRAM, 3.3v DRAM 16M (1Mx16) 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V

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