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K4M28163LH-RN75

产品描述Mobile SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小113KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档 详细参数 全文预览

K4M28163LH-RN75概述

Mobile SDRAM

K4M28163LH-RN75规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码S-PBGA-B54
内存密度134217728 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级1
端子数量54
字数8388608 words
字数代码8000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织8MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA54,9X9,32
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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