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KBJ2006

产品描述25 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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KBJ2006概述

25 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

KBJ2006规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Code_compli
Is SamacsysN
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量4
最高工作温度150 °C
最大输出电流20 A
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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DATA SHEET
KBJ2000~KBJ2010
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
VOLTAGE - 50 to 1000 Volts CURRENT - 25.0 Amperes
FEATURES
• Plastic material has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Ideal for printed circuit board
• Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
• Surge overload rating: 400 Amperes
• High temperature soldering guaranteed:
260° C/10 seconds/.375"(9.5mm) lead length at 5 lbs. (2.3kg) tension
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS environment
substance directive request
MECHANICAL DATA
Case: Reliable low cost construction utilizing
molded plastic technique
Terminals: Leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Mounting position: Any
Mounting torque: 20 in. lb. Max.
Weight: 7.056g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25° C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
KBJ
2000
50
35
50
KBJ
2001
100
70
100
KBJ
2002
200
140
200
KBJ
2004
400
280
400
KBJ
2006
600
420
600
KBJ
2008
800
560
800
KBJ
2010
1000
700
1000
PARAMETER
SYMBOL
UNITS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current for Resistive
Load at Tc =55
Non-repetitive Peak Forward Surge Current, Rated
Load
Maximum Forward Voltage per Bridge
Element at 20A Specified Current
Maximum Reverse Leakage Current at Rated
@ TA=25
Typical Thermal Resistance(Fig 3 )
Operating Junction and Storage Temperature
Range
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
V
V
I
AV
20
A
I
FSM
300
A
V
F
1.1
V
I
R
10
1.2
-50 TO +15 0
uA
R
QJC
T
J
, T
STG
/W
NOTES : Device mounted on 100mm *100mm * 1.6mm Cu Plate Heatsink.
STAD-JAN.28.2005
PAGE . 1
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