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1N4150-35_R2_10001

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小108KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4150-35_R2_10001概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2

1N4150-35_R2_10001规格参数

参数名称属性值
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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1N4150
FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES
VOLTAGE
50 Volt
POWER
500 mWatt
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.
• Silicon Epitaxal Planar Construction.
• Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive
MECHANICAL DATA
• Case: Mini Melf, Glass
•Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
•Approx. Weight: 0.00465 ounces, 0.131 grams
• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
1
Cathode
2
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum Average Forward Current at T
A
=25
O
C And f > 50Hz
Surge Forward Current at t < 1s and T
J
=25
O
C
Power Dissipation at T
A
= 25
O
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=200mA
Maximum Leakage Current at V
R
= 50V
Maximum Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R
V
RM
V
RMS
I
F(AV)
I
FSM
P
TOT
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
JA
T
J
,T
S
VALUE
50
50
35
200
500
500
1
0.1
4
4
350
-65 to +175
UNITS
V
V
V
mA
mA
mW
V
A
pF
ns
O
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100
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