Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N4150-35

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1N4150-35: 产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小57KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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1N4150-35概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS, MINIMELF-2

1N4150-35规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DO-35
包装说明	O-LALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	0.2 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	50 V
最大反向恢复时间	0.004 µs
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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1N4150

FAST SWITCHING SURFACE MOUNT DIODES

VOLTAGE

50 Volts

POWER

500 mWatts

FEATURES

• Fast switching Speed.

• Surface Mount Package Ideally Suited For Automatic Insertion.

• Silicon Epitaxal Planar Construction.

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: Mini Melf, Glass

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

• Mounting Position: Any

• Ordering information: Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 15" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

3.0

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

=25°C unless otherwise noted)

PARAMETER

Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

RMS Voltage

Maximum Average Forward Current at T

=25

C And f > 50Hz

Surge Forward Current at t < 1s and T

=25

Power Dissipation at Tamb= 25

SYMBOL

R M

R M S

F (A V )

F S M

T O T

J A

1N4150

200

500

1.0

0.1

350

-65 to +175

UNITS

µA

Maximum Forward Voltage at I

=200mA

Maximum Leakage Current at V

= 50V

Maximum Capacitance (Note 1)

Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)

Typcal Thermal Resistance

Junction Temperature and Storage Temperature Range

C/W

NOTE:

1. CJ at V

=0, f=1MHZ

2. From I

=10mA to I

=1mA, V

=6Volts, R

=100Ω

STAD-FEB.06.2009

PAGE . 1

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