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M368L2923DUN-CB3

产品描述DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
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文件大小450KB,共25页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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M368L2923DUN-CB3概述

DDR SDRAM Unbuffered Module 184pin Unbuffered Module based on 512Mb D-die with 64/72-bit Non ECC/ECC 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

M368L2923DUN-CB3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
长度133.35 mm
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.6 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度3.67 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.08 A
最大压摆率3.24 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度31.75 mm
Base Number Matches1
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