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US1D

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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US1D概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

US1D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
US1A~US1M
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS
environment substance directive reuest
.114(2.90)
.098(2.50)
.062(1.60)
.055(1.40)
SMA/DO-214AC
Unit: inch (mm)
.181(4.60)
.157(4.00)
.096(2.44)
.012(.305)
.006(.152)
.078(2.00)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.002 ounce, 0.064 gram
.060(1.52)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PAR AME T E R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
L
= 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
A
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
A
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
1 .0
US 1 A
50
35
50
US 1 B
100
70
100
US 1 D
200
140
200
US 1 G
400
280
400
1 .0
30
1 .4
1 0 .0
100
17
30
50
- 5 0 TO + 1 5 0
100
O
US 1 J
600
420
600
US 1 K
800
560
800
US 1 M
1000
700
1000
U N IT S
V
V
V
A
A
1 .7
V
I
R
uA
C
J
Rθ J L
T
RR
T
J
, T
S TG
pF
C / W
ns
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-JUL.20.2005
PAGE . 1
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