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UF5401G

产品描述3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小33KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF5401G概述

3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

UF5401G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
Reach Compliance Codecompliant

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DATA SHEET
UF5401G~UF5407G
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST SWITCHING RCTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
100 to 800 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• Both normal and Pb free product are available :
.375(9.5)
1.0(25.4)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
.052(1.3)
.048(1.2)
Normal : 80~95% Sn, 5~20% Pb
Pb free: 98.5% Sn above
.285(7.2)
Case: Molded plastic, DO-201AD
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202,Method 208
Polarity: Band denotes cathode
Mounting Position: Any
Weight: 0.04 ounce, 1.1 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSFEATURES
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
NOTES:
S YM B O L U F 5 4 0 1 G U F 5 4 0 2 G U F 5 4 0 3 G U F 5 4 0 4 G U F 5 4 0 5 G U F 5 4 0 6 G U F 5 4 0 7 G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
AV
I
F S M
V
F
I
R
C
J
RθJ A
T
RR
T
J
, T
S TG
50
- 5 5 TO + 1 5 0
1 .0
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3 .0
150
1 .3
1 0 .0
300
75
60
75
1 .5
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1.0(25.4)MIN.
MECHANICALDATA
.210(5.3)
.188(4.8)
U N IT S
V
V
V
A
A
1.7
V
uA
pF
O
C /W
ns
O
C
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Test Condition: Ta = Tj Per pulse test pulse width 300uS duty
2%
STAD-SEP.01.2004
PAGE . 1
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